ice 浙江六方半导体有限公司近日完成超亿元C1轮股权融资，本轮由北京仓廪资本与诸暨产业投资集团有限公司联合出资。公司成立于2018年，专注半导体新材料的研发与生产，业务覆盖长晶、外延、刻蚀等关键工艺环节，为下游客户提供核心材料及精密零部件。
从外延托盘到整体碳化硅材料
六方半导体掌握CVD-SiC碳化硅材料合成技术，并以此为基础推出导流桶、单晶硅外延托盘、LED芯片外延托盘、SiC聚焦环等产品。公司早期聚焦碳化硅涂层芯片外延托盘的国产替代，在掌握涂层量产设备与工艺后实现了这一产品的国产替代；此后又突破整体SiC的生长制备与加工技术。整体SiC材料是刻蚀聚焦环、RTP设备边缘环等核心零部件的基础材料。在长晶原料方面，公司采用气相法制备高纯碳化硅粉料，具有高纯度、高密度、低氮含量等特点，产品性能可对标海外同类产品，已逐步导入国内主流长晶厂商。
需求增长与产能规划
随着3D NAND向300层以上推进，刻蚀工艺步骤数从50步增加到100步以上，AI算力芯片扩产也带动刻蚀设备装机数量上升，CVD-SiC刻蚀环的需求随之增加。据公司介绍，目前国内CVD-SiC聚焦环国产化率不足15%，7nm以下先进制程所需的聚焦环国产化率不足5%。创始人何少龙博士牵头承担了“大尺寸超高纯碳化硅制备关键技术”国家重点研发计划。公司表示，本轮融资将重点用于前沿新品研发与产能扩建，占地100亩的新厂房预计2026年12月投产。在新品方向上，公司正拓展碳化硅薄膜在光学领域的应用，以及SiC材料在芯片散热领域的使用。
